單晶圓清洗設備工作原理
單晶圓清洗設備有著極高的製程環境控製能力與微粒去除能力,市場份額相對小。
單晶圓清洗設備有著極高的製程環境控製能力與微粒去除能力,市場份額相對小。
單晶 圓清洗設備一般采取旋轉噴淋的方式,用化學噴霧對單晶圓進行清洗的設備,相對自動 清洗臺清洗效率較低,產能較低,但有著極高的製程環境控製能力與微粒去除能力。
可用於多種工藝中,包括擴散前清洗、柵極氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧 化前清洗、光刻膠清除、多晶矽清除等多個清洗環節和部分刻蝕環節中。
還有另一種單晶圓清洗設備采取超聲波清洗方式,市場份額相對小
單晶圓清洗設備與自動清洗臺在應用環節上沒有較大差異,兩者的主要區別在於清洗方 式和精度上的要求。
簡單而言,單晶圓清洗設備是逐片清洗,自動清洗臺是多片同時清洗,所以自動清洗臺的優勢在於設備成熟、產能較高,而單晶圓清洗設備的優勢在於清洗精度高,背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗,同時避免了晶圓片之間的交叉汙染。
洗刷器在晶圓拋光後清洗中占有重要地位。
采取旋轉噴淋的方式,但配合機械擦拭,有高壓和軟噴霧等多種可調節模式,用於適合以去離子水清洗的工藝中,包括鋸晶圓、晶 圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD 等環節中,尤其是在晶圓拋光後清洗中占有重要地位。
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