晶圓上極小的灰塵也會影響集成電路的功能，故此在正式製造芯片之前與芯片製造過程中，需要去除的汙染主要包括顆粒、化學殘留物等，製造芯片過程中清洗晶圓是重要的步驟，一般來說清洗步驟占全部工藝的30%，清洗直接影響良率，隨著先進製程的推進，需要清洗的步驟越來越多。  

清洗可分為濕法和幹法，濕法清洗是指針對不同的工藝需求，采用特定的化學藥液和去離子水，對圓片表面進行無損傷清洗，以去除集成電路製造過程中的顆粒、自然氧化層、有機物、金屬汙染、犧牲層、拋光殘留物等物質。單晶圓清洗機取代批量清洗是先進製程的主流，可提供更好的工藝控製，避免交叉汙染，提高良率，但產出率較低，僅能達到槽式設備的35%-60%。