单晶圆清洗设备工作原理
单晶圆清洗设备有着极高的制程环境控制能力与微粒去除能力,市场份额相对小。
单晶圆清洗设备有着极高的制程环境控制能力与微粒去除能力,市场份额相对小。
单晶 圆清洗设备一般采取旋转喷淋的方式,用化学喷雾对单晶圆进行清洗的设备,相对自动 清洗台清洗效率较低,产能较低,但有着极高的制程环境控制能力与微粒去除能力。
可用于多种工艺中,包括扩散前清洗、栅极氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧化前清洗、光刻胶清除、多晶硅清除等多个清洗环节和部分刻蚀环节中。
还有另一种单晶圆清洗设备采取超声波清洗方式,市场份额相对小
单晶圆清洗设备与自动清洗台在应用环节上没有较大差异,两者的主要区别在于清洗方式和精度上的要求。
简单而言,单晶圆清洗设备是逐片清洗,自动清洗台是多片同时清 洗,所以自动清洗台的优势在于设备成熟、产能较高,而单晶圆清洗设备的优势在于清洗精度高,背面、斜面及边缘都能得到有效的清洗,同时避免了晶圆片之间的交叉污染。
洗刷器在晶圆抛光后清洗中占有重要地位。
采取旋转喷淋的方式,但配合机械擦拭,有高压和软喷雾等多种可调节模式,用于适合以去离子水清洗的工艺中,包括锯晶圆、晶 圆磨薄、晶圆抛光、研磨、CVD 等环节中,尤其是在晶圆抛光后清洗中占有重要地位。
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